Semiconductor Nanocrystals of InP@ZnS: Synthesis and Characterization
Vol. 25 Núm. 2 (2012), Artículos de Investigación
Vol. 25 Núm. 2 (2012)

Semiconductor Nanocrystals of InP@ZnS: Synthesis and Characterization

Artículos de Investigación
Publicado 2012-06-15
J. S. Arias Cerón
Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN, Unidad Legaria
M. P. González Araoz
Centro de Investigación en Biotecnología Aplicada, IPN. Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Puebla.
A. Bautista Hernández
Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Puebla
J. F. Sánchez Ramírez
Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas del IPN
J. L. Herrera Pérez
Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas del IPN
J. G. Mendoza Álvarez
Departamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional
PDF (English)

Cómo citar

Arias Cerón, J. S., González Araoz, M. P., Bautista Hernández, A., Sánchez Ramírez, J. F., Herrera Pérez, J. L., & Mendoza Álvarez, J. G. (2012). Semiconductor Nanocrystals of InP@ZnS: Synthesis and Characterization. Superficies Y Vacío, 25(2), 134-138. Recuperado a partir de https://superficiesyvacio.smctsm.org.mx/index.php/SyV/article/view/218
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Resumen

Colloidal dispersions of InP@ZnS nanoparticles were prepared using a single-step heating-up method relying at low temperature. The obtained particles are highly crystalline, monodisperse and exhibit size-dependent radiative emission in the range of 329?480 nm. By simply varying the concentration of the molecular precursor, the particles size can be controlled in the range from about 1.1 to 4.5 nm. The formation of InP nanocrystals has been confirmed using the techniques TEM, HRTEM, PL and UV-Vis spectroscopy.

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