Detalles de autor/a

Sánchez, V. M., Sección de Electrónica del Estado Sólido, Departamento de Ingeniería Eléctrica Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, México

• Superficies y Vacío Vol. 26 Núm. 3 (2013) Artículos de Investigación
  Study of InxGa1-xN layers growth on GaN/Al2O3 by MOCVD at different pressures
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