Resumen
El aluminato de cobre (CuAlO2) es un material termoeléctrico semiconductor tipo-p, que cristaliza en fase delafosita a temperatura de 1100 °C. En este trabajo se sintetizaron dos muestras por el método Pechini y se calcinaron por dos procedimientos diferentes para determinar el efecto de la historia térmica en la formación de las fases y en las propiedades termoeléctricas. La muestra M1 se calcinó a 1100 °C después de un tratamiento térmico a 550 °C y la muestra M2 se calcinó a 1100 °C sin tratamiento térmico previo. La estructura cristalina de los materiales obtenidos se analizó por difracción de rayos X y el ancho de banda prohibida se obtuvo por el método de Kubelka-Munk a partir de los espectros de reflectancia difusa en el ultravioleta-visible. En la muestra M1 se tiene una mezcla de fases, espinela y delafosita y en la M2 se observa una mezcla de Al2O3 y delafosita. Se midió la conductividad eléctrica, la densidad de portadores y la movilidad de la muestra M2 por efecto Hall a temperatura ambiente, así como la conductividad eléctrica y el coeficiente Seebeck en un intervalo de temperaturas de 100 °C a 800 °C, confirmándose que las dos muestras son semiconductores tipo-p y que la conductividad ocurre por polarones pequeños. Se demuestra que las rampas de temperatura y pre tratamiento térmico tienen un efecto en la formación de fases secundarias, lo que afecta directamente las propiedades termoeléctricas del material.Citas
. A. Shakouri, Ann. Rev. Mater. Res. 41, 399 (2011).
https://doi.org/10.1146/annurev-matsci-062910-100445
. M.H. Elsheikh, D.A. Shnawah, M.F. Sabri, S.B. Said, M.H. Hassan, M.B. Bashir, M. Mohamad, Renew. Sust. Energ. Rev. 30, 337 (2014).
https://doi.org/10.1016/j.rser.2013.10.027
. X. Zhang, L.D. Zhao, Journal of Materiomics 1, 92 (2015).
https://doi.org/10.1016/j.jmat.2015.01.001
. K. Koumoto, H. Koduka, W.S. Seo, J. Mater. Chem. 11, 251 (2001).
http://dx.doi.org/10.1039/b006850k
. A.N. Banerjee, R. Maity, P.K. Ghosh, K.K. Chattopadhyay, Thin Solid Films 474, 261 (2005).
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.117
. K. Park, K.Y. Ko, W.S. Seo, J. Eur. Ceram Soc. 25, 2219 (2005).
https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2005.03.034
. R.H. Jarman, J. Bafia, T. Gebreslasse, B.J. Ingram, J.D. Carter, Mater. Res. Bull. 48, 3916 (2013).
https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2013.06.003
. A. Gaki, R. Chrysafi, G. Kakali, J. Eur. Ceram Soc. 27, 1781 (2007).
https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2006.05.002
. S.K. Misra, C.D. Chaklader, J Am. Ceram Soc. 46, 509 (1963).
http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1963.tb13788.x
. The International Centre for Diffraction Data (ICDD), Cartas cristalográficas 01-075-2356, 00-033-0448 y 01-070-5679.
. B.D. Cullity, Elements of X-ray diffraction, (Notre Dame, Indiana, 1956).
https://archive.org/details/elementsofxraydi030864mbp
. B.J. Wood, R.G.J. Strens, Mineral. Mag. 43, 509 (1979).
http://dx.doi.org/10.1180/minmag.1979.043.328.11
. Diffuse Reflectance–Theory and Applications (2011). Pike technologies.
http://cmdis.rpi.edu/sites/default/files/DiffuseReflectance_FTIR.pdf
. R. López, R. Gómez, J. Sol-Gel Sci.Technol. 61, 1 (2012).
https://doi.org/10.1007/s10971-011-2582-9
. B. Lee, R. Gadow, V. Mitic, in: Proceedings of the IV Advanced Ceramics and Applications Conference (University of Oxford, 2017).
http://doi.org/10.2991/978-94-6239-213-7
. M. Salavati, F. Davar, M. Farhadi, J Sol-Gel Sci Technol. 51, 48 (2009).
https://doi.org/10.1007/s10971-009-1940-3
. A.N. Banerjee, S. Kundoo, K.K. Chattopadhyay, Thin Solid Films 440, 5 (2003).
https://doi.org/10.1016/S0040-6090(03)00817-4
. J. Tate, H.L. Ju, J.C. Moon, A. Zakutayev, A.P. Richard, J. Russell, D.H. McIntyre, Phys. Rev. B 80, 165206 (2009).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.165206
. B.J. Ingram, T.O. Mason, R. Asahi, K.T. Park, A.J. Freeman, Phys.Rev. B 64, 155114 (2001).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.155114
. S.I. Yanagiya, N.V. Nong, J. Xu, N. Pryds, Materials 3, 318 (2010).
http://doi.org/10.3390/ma3010318
. H. Arabshahi. Int. J. Sci. Adv. Technol. 1, 6 (2011).
. D.K. Schroder, Semiconductor material and device characterization, 3rd ed. (Hoboken New Jersey 2006).
ISBN: 978-0-471-73906-7 http://www.wiley.com/WileyCDA/WileyTitle/productCd-0471739065.html
. H. Kawazoe, M. Yasukawa, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi, H. Hosono, Nature 389, 939 (1997).
Esta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución 4.0.
Derechos de autor 2017 Array