Resumen
En este trabajo presentamos el análisis de los ensanchamientos inhomogéneos de espectros de Fotorreflectancia (FR) y Fotoluminiscencia (FL) en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs. La muestra fue crecida por medio de la técnica de Deposición de Vapor Químico Metal Orgánico (MOCVD) con anchos de pozos que van desde 6.5 hasta 10.5 nm. Las mediciones de FR se realizaron en el rango de temperaturas comprendido entre 220 y 300 K, mientras que las mediciones de FL se hicieron en el rango de temperaturas comprendido desde 11 hasta 200 K. Se hizo un análisis comparativo de las formas de línea de los espectros experimentales de FR y FL, encontrándose ensanchamientos inhomogéneos, los cuales se atribuyen a tensiones locales en la interfase pozo-barrera. De los respectivos análisis de los espectros de FR y FL, se logró obtener la dependencia con la temperatura de los parámetros de ensanchamiento de los espectros de FR y FL, lográndose identificar efectos de la interacción excitón-fonón en las transiciones ópticas estudiadas por ambas técnicas de caracterización óptica.
Citas
J. P. Colinge and C. A. Colinge, Physics of Semiconductor Device, (U.S.A: Kluver Academic Publishers, 2002).
T. W. Kim, D. U. Lee, J. Y. Lee and M. D. Kim, J. Appl. Phys. 89, 2503 (2001).
J. J. Prías-Barragán, J. I. Marín-Hurtado, D. G. Espinosa, G. Fonthal and H. Ariza-Calderón, Rev. Col. Fis. 34, 351 (2002).
F. J. Racedo, Crecimiento Epitaxial Selectivo de Estructuras Semiconductoras III-V. Rio de Janeiro, Tesis Doctoral, Departamento de Ingeniería Eléctrica. (Pontificia Universidade Católica, Rio de Janeiro Brasil 2000).
P. G. Romero. Teoría Cinética Elemental en los Procesos de Transporte. Física de Semiconductores. (Departamento de Ingeniería Eléctrica CINVESTAV, México, Capítulo 6, 2002)
C. Kittell, Introducción a la Física del Estado Sólido. (Barcelona: Ed. Reverté S.A, 1981)
S. E. Zambrano, G. Fonthal, J. J. Prías-Barragán, D. G Espinosa, F. Racedo, R. Bertel and H. Ariza-Calderón, Rev. Col. Fis. 40, 271 (2008).
D. E. Aspnes, Surf. Sci. 37, 418 (1973).
D. E. Aspnes. Handbook of semiconductors, editado por T.S Moss (North Holland, New York, 1980).
R. Bertel, G. Fonthal, M. De los Rios, F Racedo, S. E. Zambrano and H. Ariza-Calderón, Rev. Col. Fis. 39, 151 (2007).
Jan Misiewicz, Piotr Sitarek, Grzegorz Sek, Robert Kudrawiec, Materials Science. 21, 263 (2003).
Gilles Dambrine, Thierry Parenty, Sylvain Bollaert, Henri Happy, A. Cappy, Javier Mateos, Tapani Nahri, Jean Claude Orlhac, Marc Trier, Pierre Baudet and Patrice Landry, 11th GaAs Symposium – Munich 473 (2003).
R. Bertel, G. Fonthal, M. De los Rios, F. Racedo, S. E. Zambrano and H. Ariza, Rev. Col. Fis. 41, 368 (2009).