Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia
Vol. 28 Núm. 1 (2015), Artículos de Investigación
Vol. 28 Núm. 1 (2015)

Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia

Artículos de Investigación
Publicado 2015-03-15
T. Figueroa Reina
Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío
D. J. Sánchez Trujillo
Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío
J. J. Prías Barragán
Programa de Tecnología en Instrumentación Electrónica, Universidad del Quindío
H, Ariza Calderón
Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío
A. Pulzara
Laboratorio de Magnetismo y Materiales Avanzados. Universidad Nacional
M. López López
Departamento de Física, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, México D.F, México
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Palabras clave

Photoreflectance
Quantum dots
InAs
GaAs
Trap-filling time. Fotorreflectancia
Puntos cuánticos
InAs
GaAs
Tiempo de llenado de trampas.

Cómo citar

Figueroa Reina, T., Sánchez Trujillo, D. J., Prías Barragán, J. J., Ariza Calderón, H., Pulzara, A., & López López, M. (2015). Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia. Superficies Y Vacío, 28(1), 1-4. Recuperado a partir de https://superficiesyvacio.smctsm.org.mx/index.php/SyV/article/view/120
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Resumen

En este trabajo se presentan los resultados del estudio del tiempo de llenado de trampas en un monocristal de GaAs y en puntos cuánticos autoensamblados (PCAs) de InAs, empleando el análisis de espectros de Fotorreflectancia (FR) a temperatura ambiente. Los PCAs fueron crecidos sobre un sustrato de GaAs por medio de la técnica de epitaxia de haces moleculares, mientras que la muestra de GaAs es un monocristal comercial. Los espectros de FR fueron tomados variando la frecuencia del haz modulador para valores comprendidos desde 80Hz hasta 3000Hz. Del respectivo análisis de los espectros de FR, se obtuvo la dependencia de la intensidad de la señal de Fotorreflectancia con la frecuencia de modulación. A partir del ajuste de los datos experimentales de la variación de la intensidad de la señal de FR con la frecuencia de modulación, se logró determinar que la presencia de los PCAs incrementan el valor de t.

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