Study of characteristic filling time of traps in GaAs and InAs-QDs by analysis of photoreflectance spectra
Vol. 28 No. 1 (2015), Research Papers
Vol. 28 No. 1 (2015)

Study of characteristic filling time of traps in GaAs and InAs-QDs by analysis of photoreflectance spectra

Research Papers
Published 2015-03-15
T. Figueroa Reina
Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío
D. J. Sánchez Trujillo
Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío
J. J. Prías Barragán
Programa de Tecnología en Instrumentación Electrónica, Universidad del Quindío
H, Ariza Calderón
Laboratorio de Optoelectrónica, Universidad del Quindío
A. Pulzara
Laboratorio de Magnetismo y Materiales Avanzados. Universidad Nacional
M. López López
Departamento de Física, Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN, México D.F, México
PDF (Español (España))

Keywords

Photoreflectance
Quantum dots
InAs
GaAs
Trap-filling time. Fotorreflectancia
Puntos cuánticos
InAs
GaAs
Tiempo de llenado de trampas.

How to Cite

Figueroa Reina, T., Sánchez Trujillo, D. J., Prías Barragán, J. J., Ariza Calderón, H., Pulzara, A., & López López, M. (2015). Study of characteristic filling time of traps in GaAs and InAs-QDs by analysis of photoreflectance spectra. Superficies Y Vacío, 28(1), 1-4. Retrieved from https://superficiesyvacio.smctsm.org.mx/index.php/SyV/article/view/120
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Abstract

In this paper it is presented the study of trap-filling time in a GaAs single crystal and InAs Self-assembled quantum dots (SAQDs), using the analysis of the photoreflectance (PR) spectra measured at room temperature. The SAQDs were grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy (MBE), and GaAs sample is a commercial single crystal. The PR spectra were measured varying the chopper frequency from 80 Hz to 3000 Hz. From the analysis of these PR spectra, it was obtained the dependence of the PR signal intensity with the modulation frequency. By fitting these experimental data, it was determined that the presence of the SAQDs increases the value of t.
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